3D NAND Flash與10奈米技術將驅動晶圓廠加碼設備投資。應用材料(Applied Materials)預估2016年晶圓廠設備支出相對於2015年將呈現持平表現，但仍有潛在的上升空間，包括記憶體廠商擴增3D NAND Flash產量與10奈米技術發展加溫，皆可望帶動相關設備需求與投資，預計下半年將有五成以上的投資集中於10奈米技術。
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| 應用材料集團副總裁暨台灣區總裁與全球半導體業務服務群跨區域總經理余定陸表示，今年在3D NAND和10奈米技術的帶動下，晶圓代工的資本支出將有望回升。 |
應用材料集團副總裁暨台灣區總裁與全球半導體業務服務群跨區域總經理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進入谷底，預估今年投資水位有望提升，而大部分支出將發生在下半年，其中有五成以上將集中於10奈米技術；對晶圓代工來說，10奈米不同於16奈米，最為顯著變化在於鰭式場效電晶體(FinFET)和導線技術，能改善元件性能和功耗。
余定陸進一步指出，記憶體製造商在電晶體過渡到3D NAND面臨非常大的壓力。記憶體廠商在加速3D NAND技術量產時，投資一定會比前一年增加。由於研發成本非常的高，記憶體廠商與設備供應商的合作也將更加緊密，通常都會提早2至3年開始合作，否則無法做出成品。
另一方面，余定陸透露，半導體廠商對於蝕刻(Etch)和化學機械研磨(CMP)技術需求很高，他表示，應材在2015年半導體設備的訂單與營收達到自2007年以來的新高，其中蝕刻、化學氣相沉積(CVD)、化學機械研磨等產品所貢獻的營收都創下近年來的新高點。
整體而言，余定陸認為今年半導體設備供應仍有成長空間。雖然智慧型手機出貨量的成長放緩，高端手機競爭激烈，使得半導體廠商面臨巨大的壓力，但半導體商仍須運用設備來製造先進的晶片，增添手機新功能，提供產品差異化。因此，依舊看好對於晶圓代工設備的資本支出。
